光刻工藝的應(yīng)用行業(yè)

晶體三極管、二極管、電容、電阻和金屬層的各種物理部件在晶圓表面或表層內(nèi)構(gòu)成。
光刻生產(chǎn)的目標(biāo)是根據(jù)電路設(shè)計(jì)的要求，生成尺寸精確的特征圖形　光刻是所有四個(gè)基本工藝中最關(guān)鍵的。
光刻確定了器件的關(guān)鍵尺寸。光刻過(guò)程中的錯(cuò)誤可造成圖形歪曲或套準(zhǔn)不好，最終可轉(zhuǎn)化為對(duì)器件的電特性產(chǎn)生影響。圖形的錯(cuò)位也會(huì)導(dǎo)致類(lèi)似的不良結(jié)果。
光刻工藝中的另一個(gè)問(wèn)題是缺陷。光刻是高科技版本的照相術(shù)，只不過(guò)是在難以置信的微小尺寸下完成。
在制程中的污染物會(huì)造成缺陷。事實(shí)上由于光刻在晶圓生產(chǎn)過(guò)程中要完成5層至20層或更多，所以污染問(wèn)題將會(huì)放大。