其中，在串行通道的芯片上 10.5 min 內(nèi)可實(shí)現(xiàn) 99.5 ± 0.3% 的進(jìn)樣效率。在并行通道的芯片上 2 min 內(nèi)可實(shí)現(xiàn) 94.6 ± 0.9% 的進(jìn)樣效率。

圖 1

串行和平行通道芯片設(shè)計(jì)均采用標(biāo)準(zhǔn) SU-8 光刻技術(shù)在 4“ 硅片上制造。

對(duì)于氣動(dòng)層：首先在硅片表面采用 SU-8 2010 構(gòu)建 10μm 高的基層，然后在此基層上用 SU-8 2025 構(gòu)建 50μm 的高度。

對(duì)于流體層(圖 2)：首先采用 SU-8 2010 構(gòu)建 10μm 高的基層，然后使用 SU-8 2025 構(gòu)建 50 μm 的通道層，最后使用 SU-8 2025 構(gòu)建另一層高度為 50μm 的層，形成總高度為 100μm 的樣品裝載腔和微腔。

圖 2

隨后將PDMS澆筑在對(duì)應(yīng)的模具上依次形成氣動(dòng)層和流體層。同樣將PDMS澆筑在空白硅片上形成2mm厚的抗蒸發(fā)層。最后將三層粘接在一起形成完成的芯片。

為優(yōu)化注液流程，將 2.5 μL 紅色染料注入入口儲(chǔ)液腔，然后通過氣動(dòng)層施加的真空吸力引入樣品裝載腔，入口閥關(guān)閉。

當(dāng)所有紅色染料流入樣品裝載腔后，入口儲(chǔ)液腔中加入 10μl FC-40 油。然后打開入口閥，出口閥被激活以執(zhí)行芯片進(jìn)樣通過真空驅(qū)動(dòng)。

如圖 3 所示，作者設(shè)計(jì)了兩種不同類型的芯片（串聯(lián)通道 和 并行通道）。

兩種類型的芯片都有底部流體層和頂部氣動(dòng)層組成，每個(gè)芯片由三個(gè)平行單元組成，用于高通量測(cè)量。

在每個(gè)單元中，樣品裝載腔通過一個(gè)主通道 或 16個(gè)并行通道連接到2000 個(gè)微孔陣列。

圖 3

為了實(shí)現(xiàn)無樣品損失的進(jìn)樣，樣品體積必須小于總微孔體積。因此，樣品裝載腔被設(shè)計(jì)為可容納 2.5μl 的樣品，比 2000 個(gè)微孔的總體積小約 10% （一個(gè)微孔約 1.44 nL）。

微孔陣列兩側(cè)有兩個(gè)氣動(dòng)閥來控制樣品導(dǎo)入和微孔填充。

圖4

如圖 4 所示，本文提出的芯片在“拉”模式和“推”模式之間實(shí)現(xiàn)微井的填充。

在“拉”模式下，出口閥關(guān)閉，通過傳統(tǒng)的真空驅(qū)動(dòng)填充，主要通過主通道拉動(dòng)溶液。

然后操作切換到“推”模式，打開出口閥，使主通道暴露在大氣中，由此試劑頭部與由溶液包裹的微孔之間形成壓力差。

此時(shí)在主通道和那些未完全填充的微井之間將建立一個(gè)壓力差。主通道中較高的壓力會(huì)改變流動(dòng)方向，推動(dòng)水相完全填充微孔。

重復(fù)拉推循環(huán)可將樣品完全分配到離散的微孔中，并被隨后的油相隔離。

圖 5

圖 5 所示為在“推”模式下，主通道中較高的壓力可以改變流體流動(dòng)方向，驅(qū)動(dòng)試劑完全填充微孔。

為防止熱循環(huán)過程中試劑蒸發(fā)，如圖 6 所示，作者在芯片頂部組裝了防蒸發(fā)層和載玻片。

其中，PDMS 防蒸發(fā)層永久粘合在氣動(dòng)層上，并含有一個(gè)腔室可填充超過 2 mL 的水。

圖 6

具備防蒸發(fā)層和未防蒸發(fā)層在PCR擴(kuò)增后的圖如圖 7 所示。具備防蒸發(fā)層的芯片其陰陽性可明確辨別。

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