什么是光刻膠？

光刻膠也稱為光致抗蝕劑（Photoresist，P. R.），光刻膠是一種對光敏感的混合液體，是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料。它由光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、溶材料劑、單體（活性稀釋劑）和其他助劑組成。

光刻膠組成

光引發(fā)劑：又 稱光敏劑或光固化劑，其能在紫外光區(qū)或可見光區(qū)吸收一定波長的能量，經(jīng)光化學反應產(chǎn)生具有引發(fā)聚合能力的活性中間體，該產(chǎn)物能與光刻膠中的其他物質進一步反應，完成光刻過程。

樹脂：是一種惰性的聚合物，用于粘合光刻膠中的不同成分，提高光刻膠的化學抗腐蝕性能和膠膜厚度等基本性能。

溶劑：溶解光刻膠的各種組成成分，也是后續(xù)光刻化學反應的介質。

單體：又稱活性稀釋劑，Udine光引發(fā)劑的光化學反應有調節(jié)作用。

其他添加劑：用于控制光刻膠的特定化學性質。

光刻膠分類

凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以交聯(lián)反應為主的光刻膠稱為 負性光刻膠，簡稱 負膠。

凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以降解反應為主的光刻膠稱為 正性光刻膠，簡稱 正膠。

? 正膠：曝光顯影后可溶與顯影液

? 負膠：曝光顯影后不溶與顯影液

根據(jù)光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來分：

1）傳統(tǒng)光刻膠。適用于I線（365nm）、H線（405nm）和G線（436nm），關鍵尺寸在0.35μm及其以上。

2）化學放大光刻膠。適用于深紫外線（DUV）波長的光刻膠。KrF（248nm）和ArF（193nm）。

正膠與負膠的區(qū)別

負膠是最早使用，一直到20世紀70年代。特性為，具有良好的粘附能力和阻擋作用、感光速度快；顯影時發(fā)生變形和膨脹，所以只能用于2μm的分辨率。

 負膠顯影中保留部分的膠會吸收顯影液，造成光刻膠的變相“膨脹”，從而使圖形扭曲，一般分辨率只能達到光刻膠厚度的2-3倍；而正膠在顯影過程中則不會吸收顯影液，從而獲得較高的分辨率！

20世紀70年代，有負性轉用正性。正膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率，其他特性如，臺階覆蓋好、對比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

現(xiàn)在最小尺寸小于3um一般都會用正膠！

目前一般都是用正膠，對于線寬要求不高的時候或者一些特殊的用途（比如PSS等）可以選擇負膠。

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