紫外光源：曝光系統最核心

常見光源分為:

紫外光（UV），g線：436nm;i線：365nm

深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm

極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm

對光源系統的要求

a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就越?。籟波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為衍射現象會更嚴重。]

b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；

c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度或者叫不均勻度光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]

常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光后使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。

對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子激光。例如KrF 準分子激光（248 nm）、ArF 準分子激光（193 nm）和F2準分子激光（157 nm）等。

曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節(jié)等。